标题：一种新型高电源抑制比低温度系数带隙基准电路设计
作者：于棒棒
作者单位：上海大学通信与信息工程学院特种光纤与光接入网重点实验室，上海 200444
关键字：带隙基准；温度系数；电源抑制比
摘要： 针对传统带隙基准电路面对工艺、电压和温度（Process Voltage Temperature，PVT）的变化，导致电路温度漂移（Temperature Coefficient，TC）大以及电源抑制（Power Supply Rejection Ratio，PSRR）比较低的问题，提出一种新型带隙基准电压源。电路采用简单的运算放大器构成反馈回路，在降低功耗的同时能够提高电源抑制比。电路基于40 nm CMOS工艺设计实现。仿真结果表明，在3.3 V电源电压下，输出电压为2.6 V；在-40℃~125℃的温度范围内，基准源温度系数为14.9×106/℃，且在低频10 Hz处，基准电路的电源抑制比高达70.1 dB，适合高速接口电路应用场景。