标题：一种全集成内嵌带隙基准的多环路超低噪声FVF-LDO
作者：朱亚峰 林敏
作者单位：上海大学特种光纤与光接入网重点实验室，上海 200444
关键字：翻转电压跟随器；全频带电源抑制；低噪声低压差稳压器
摘要：在射频收发片上系统（RF System-On-A-Chip，SOC）中，一个低输出噪声的低压差线性稳压器（Low-Dropout regulator，LDO）是保证无线射频收发器性能的关键模块。提出了一种全集成内嵌带隙基准的翻转电压跟随（Flipped Voltage Follower，FVF）LDO，该电路采用双环结构，其中低带宽环路提高了低频电源抑制（Power Supply Rejection，PSR），高带宽环路提高了高频的PSR，使其在全频带具有较高的PSR。带隙基准和LDO共用运算放大器来产生参考电压，显著改善了LDO的低频噪声特性。所提出的LDO在40 nm CMOS工艺上实现，输入电压1.3 V，输出电压1.1 V，静态功耗为80 μA，在10 mA负载电流的情况下实现了-81 dB的低频PSR和全频带最差-10 dB的PSR。1 Hz频率处，输出噪声低至10.28 μV/Hz。