2025年度  第1期


标题:一种高鲁棒性低漏电亚谐波注入锁定环形振荡器电路设计
作者:盛旭阳 林敏
作者单位:上海大学特种光纤与光接入网重点实验室,上海 200444
关键字:环形振荡器;亚谐波注入锁定;低漏电;高鲁棒性
摘要:由于工作在射频频段的环形振荡器(Ring Oscillator,RO)存在漏电大和相噪性能差的问题,使其难以应用于高性能低功耗的片上电子系统中,提出了一种低漏电的射频环形振荡器电路架构,并利用亚谐波注入锁定(Subharmonic Injection Locking,SIL)技术提升其相噪性能。仿真结果表明,所提出的电路设计能确保环形振荡器在任意PVT变化下频率覆盖6.5~9 GHz,且亚谐波注入锁定后的相噪可降低至理论下限,最大漏电流与基准漏电流分为13 μA与2.1 μA,验证了所提电路架构的高性能与鲁棒性。