2024年度 第11期
标题:
大容量SRAM的时序设计
作者:
李斌 曾健平;陈君 徐磊
作者单位:
湖南大学物理与微电子科学学院,湖南 长沙 410082;湖南省高正科技有限公司,湖南 长沙 410000
关键字:
SRAM;时序电路;大容量
摘要:
随着集成电路技术的迅速发展,SRAM的容量越来越大,其时序也愈发难以控制。对SRAM的六管BitCell结构进行了分析,详细介绍了SRAM的工作原理和设计思路,并且给出了设计的SRAM版图布局,重点分析和解决了大容量SRAM面临的时序挑战。