标题：基于半桥MOSFET芯片铜带夹扣堆叠的电源SiP设计
作者：康丙寅 易文双 方亚洲 张颖
作者单位：中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆 400060
关键字：系统级封装；铜带夹扣；堆叠；电源SiP
摘要：采用系统级封装（System in Package，SiP）设计是实现电源小型化的有效方式之一。同步BUCK DC-DC变换器中的半桥功率开关MOSFET，通过堆叠工艺利用纵向空间，将芯片的占用面积降低了36%。MOSFET芯片表面做焊锡浸润材料金属化处理，直接与铜带夹扣锡膏烧焊，将电流路径电阻减小了约10倍，同时热传导效率得到了改善。通过多芯片微组装工艺，将电源控制器、MOSFET芯片、电感器及其他必要器件集成在BGA陶瓷封装内。研制的电源SiP样机尺寸为20 mm×18 mm×4.8 mm，可双通道独立输出15 A，或双通道并联输出30 A电流，电源转换效率达93%以上。