2018年度  第1期


标题:基于DSP与NAND Flash的大容量存储器设计
作者:张楠 张达亿
作者单位:西安石油大学电子工程学院,陕西 西安 710065
关键字:大容量存储,闪存,TMS320F28335,读写操作
摘要:针对工程实际应用中大量关键数据需要进行安全快速存储这一问题,选取三星K9FAG08U0M型NAND Flash与TI生产的TMS320F28335型DSP作为存储介质和控制器,设计了一种基于DSP的大容量存储器。首先针对NAND型Flash的结构和管脚进行分析,设计了DSP和NAND Flash的连接方案,并利用C语言实现了擦除、读和写的功能。设计制作了电路板,进行了数据采集存储实验,并验证了系统结构的可靠性。